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計(jì)算公式：晶振的負(fù)載電容Cf=[Cd*Cg/(Cd+Cg)]+Cic+△C

匹配電容：負(fù)載電容是晶振正常振蕩所需要的電容。外接電容的目的是使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。在一些對(duì)精度要求高的場(chǎng)合，還需要考慮IC輸入端的對(duì)地電容。 

影響諧振頻率：負(fù)載電容的大小主要影響晶振的負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。一般情況下，增大負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率升高。 

負(fù)載電容與振蕩頻率：負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可以看作晶振片在電路中串接的電容。不同的負(fù)載電容會(huì)導(dǎo)致振蕩器的振蕩頻率不同。即使標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容也不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)諧振頻率的低負(fù)載電容晶振，另一個(gè)是并聯(lián)諧振頻率的高負(fù)載電容晶振。因此，在互換標(biāo)稱頻率相同的晶振時(shí)，必須確保負(fù)載電容一致，否則可能導(dǎo)致電器工作不正常。

精確調(diào)整：在應(yīng)用時(shí)，一般在給出負(fù)載電容值附近進(jìn)行調(diào)整，以獲得精確的振蕩頻率。 

電容并聯(lián)：一般晶振兩端所接的電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍，這樣并聯(lián)起來可以接近負(fù)載電容的值。 

防止晶振過驅(qū)動(dòng)：晶振輸入輸出連接的電阻作用是產(chǎn)生負(fù)反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)。輸出端的電阻與負(fù)載電容組成網(wǎng)絡(luò)，提供180度相移，同時(shí)起到限流的作用，防止反向器輸出對(duì)晶振過驅(qū)動(dòng)，從而損壞晶振。